5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 24 weeks | 风险等级： | 5.44 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 80 Ω |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 4.7 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 最大电压容差： | 6.38% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BZX84C4V7TA | ZETEX |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C4V7TC | ZETEX |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.33W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C4V7-TP | MCC |
获取价格 |
Silicon 350 mWatt Zener Diodes |
|
| BZX84C4V7-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BZX84C4V7TR | ALLEGRO |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C4V7TR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C4V7TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84C4V7TR13PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.4%, 0.35W, |
|
| BZX84C4V7TRL | YAGEO |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, |
|
| BZX84-C4V7TRL | NXP |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
