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BZX84C4V7TR13

更新时间: 2024-11-28 14:29:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional,

BZX84C4V7TR13 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
其他特性:PROELECTRON SPECIFICATION配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:500 Ω
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
最大反向电流:3 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84C4V7TR13 数据手册

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