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BZX84B62

更新时间: 2024-02-05 18:30:30
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强茂 - PANJIT 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 114K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

BZX84B62 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.54配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W标称参考电压:62 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%

BZX84B62 数据手册

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BZX84B2V4 SERIES  
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES  
POWER  
410 mWatts  
VOLTAGE  
2.4 to 75 Volts  
FEATURES  
• Planar Die construction  
• 410mW Power Dissipation  
• Zener Voltages from 2.4~75V  
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: SOT-23, Molded Plastic  
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: See Diagram Below  
• Approx. Weight: 0.008 grams  
• Mounting Position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Parameter  
Maximum Power Dissipation (Notes A) at 25OC  
Operating Junction and StorageTemperature Range  
Symbol  
Value  
410  
Units  
mW  
OC  
P
D
-55 to +150  
TJ  
NOTES:  
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.  
REV.0.2-OCT.5.2009  
PAGE . 1  

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