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BZX84A9V1

更新时间: 2024-09-19 17:55:39
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国巨 - YAGEO 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84A9V1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.35 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
最大反向电流:0.5 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL电压温度Coeff-Max:7 mV/ °C
最大电压容差:1%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX84A9V1 数据手册

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