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BZX79B10

更新时间： 2024-02-22 12:45:07

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZX79B10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICAL BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	20 Ω
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
膝阻抗最大值：	150 Ω	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	10 V
最大反向电流：	0.1 µA	反向测试电压：	7.5 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX79B10 数据手册

BZX79 SERIES

SILICON PLANAR ZENER DIODES

DO-35

FEATURES

The Zener voltages are graded according to the international

E 24 standard. Higher Zener voltages and 1% tolerance

available on request.

max.

.079 (2.0)

Diodes available in these tolerance series:

Cathode

Mark

±2% BZX79-B

±3% BZX79-F

±5% BZX79-C

max. .020 (0.52)

MECHANICAL DATA

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13 g

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature 8unless otherwise specified

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener Current (see Table “Characteristics”)

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Junction Temperature

P_tot

T_j

500⁽¹⁾

-65 to 200

-65 to + 200

250

°C

Storage Temperature Range

Continuous Forward Current

T_S

I_F

°C

Peak reverse power dissipation (non-repetitive) t_p=100ms,

square wave

P_ZSM

Watts

Characteristics at Tamb = 25°C

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Thermal Resistance

Junction to Ambient Air

R_thJA

–

0.3⁽¹⁾

0.9

°C/W

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

–

Volts

NOTES:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8mm from case.

12/10/98

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