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BZX584C8V2

更新时间: 2024-11-12 04:34:59
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强茂 - PANJIT 稳压二极管测试光电二极管
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4页 101K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

BZX584C8V2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.55Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

BZX584C8V2 数据手册

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BZX584C2V4~BZX584C75  
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES  
POWER  
200 mWatts  
VOLTAGE  
2.4 to 75 Volts  
FEATURES  
• Planar Die construction  
• 200mW Power Dissipation  
• Zener Voltages from 2.4~75V  
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment  
substance diective request  
MECHANICALDATA  
Case: SOD-523, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Standard packaging : 8mm tape  
Weight : approximately 0.002  
MAXIMUM RATINGS  
Units  
Parameter  
Symbol  
Value  
Power Dissipation @ TA= 25OC(Note A)  
PD  
200  
mW  
Operating Junction and StorageTemperature Range  
TJ  
-55 to +150  
OC  
NOTES:  
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.  
PAGE . 1  
STAD-DEC.20.2005  

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