BZX55C2V0

更新时间： 2024-01-25 07:30:43

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EIC		稳压二极管齐纳二极管测试
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SILICON ZENER DIODES

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BZX55C2V0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	GLASS PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.3
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	2 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C2V0 数据手册

SILICON ZENER DIODES

DO - 35

BZX55C2V0 ~ BZX55C100

V_Z: 2.0 - 100 Volts

P_D: 500 mW

1.00 (25.4)

0.079(2.0 )max.

min.

FEATURES :

0.150 (3.8)

max.

* Complete 2.0 to 100 Volts

* High surge current capability

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

1.00 (25.4)

0.020 (0.52)max.

min.

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

Dimensions in inches and ( millimeters )

MECHANICAL DATA

* Case : Molded glass

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end. When operated in zener mode,

cathode will be positive with respect to anode

* Mounting position : Any

* Weight : 0.13 gram (approx.)

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation (Note1)

500

Maximum Forward Voltage at I_F=100 mA

Maximum Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note1)

Junction Temperature Range

V_F

1.0

°C/W

°C

300

RqJA

T_j

- 65 to + 200

T_s

Storage Temperature Range

°C

Note : (1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.

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Rev. 05 : June 25, 2005

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