Datasheet > BZX384C10-V-G-08

BZX384C10-V-G-08

更新时间： 2024-11-30 18:52:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	102K
描述
DIODE 10 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, GREEN PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZX384C10-V-G-08 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.24	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	10 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX384C10-V-G-08 数据手册

BZX384-V-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes

• The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard

• Standard Zener voltage tolerance is

replace “C” with “B” for 2 ꢀ tolerance

5 ꢀ%

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

Note

PRIMARY CHARACTERISTICS

** Please see document “Vishay Material Category Policy”:

www.vishay.com/doc?99902

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

2.4 to 75

2% 5

UNIT

Pulse current

Single

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

BZX384-V-G-series-18

BZX384-V-G-series-08

TAPED UNITS PER REEL

10 000 (8 mm tape on 13" reel)

3000 (8 mm tape on 7" reel)

MINIMUM ORDER QUANTITY

10 000/box

BZX384-V-G-series

15 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

4 mg

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

SOD-323

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

(according J-STD-020)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Power dissipation

Device on fiberglass substrate

P_tot

200

650

Valid that electrodes are kept at ambient

temperature

Junction to ambient air

R_thJA

K/W

T_j

Junction temperature

150

°C

T_stg

Storage temperature range

- 65 to + 150

Rev. 1.2, 22-Nov-11

Document Number: 83335

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与BZX384C10-V-G-08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZX384C10-V-GS08	VISHAY	获取价格	DIODE 10 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
BZX384C10-V-GS18	VISHAY	获取价格	DIODE 10 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
BZX384C11	TAITRON	获取价格	0.2W Surface Mount Zener Diodes
BZX384C11	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes
BZX384C11	SUNMATE	获取价格	0.2W patch zener diode SOD-323 11V series
BZX384C11	SYNSEMI	获取价格	ZENER DIODES
BZX384C11	EIC	获取价格	ZENER DIODES
BZX384-C11	VISHAY	获取价格	BZX384
BZX384-C11	NXP	获取价格	Voltage regulator diodes
BZX384-C11	NEXPERIA	获取价格	Voltage regulator diodesProduction

与BZX384C10-V-G-08相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX384C10-V-G-08

BZX384C10-V-G-08 技术参数

BZX384C10-V-G-08 数据手册

与BZX384C10-V-G-08相关器件

与BZX384C10-V-G-08相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZX384C10-V-G-08

BZX384C10-V-G-08 技术参数

BZX384C10-V-G-08 数据手册

与BZX384C10-V-G-08相关器件

与BZX384C10-V-G-08相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？