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BZX384B12-V-GS08

更新时间： 2024-11-15 14:25:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 100K
描述
DIODE 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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BZX384B12-V-GS08 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.35Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：12 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
最大电压容差：2%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

BZX384B12-V-GS08 数据手册

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BZX384-V-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Small Signal Zener Diodes  
FEATURES  
• Silicon planar power Zener diodes  
• The Zener voltages are graded according to the  
international E 24 standard  
• Standard Zener voltage tolerance is  
replace “C” with “B” for 2 ꢀ tolerance  
5 ꢀ%  
• AEC-Q101 qualified  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VZ specification  
Int. construction  
VALUE  
2.4 to 75  
2% 5  
UNIT  
V
mA  
Pulse current  
Single  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
BZX384-V-series-GS18  
BZX384-V-series-GS08  
TAPED UNITS PER REEL  
10 000 (8 mm tape on 13" reel)  
3000 (8 mm tape on 7" reel)  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
10 000/box  
BZX384-V-series  
BZX384-V-series  
15 000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY  
SOLDERING  
CONDITIONS  
PACKAGE NAME  
WEIGHT  
4.3 mg  
FLAMMABILITY RATING  
LEVEL  
MSL level 1  
SOD-323  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
(according J-STD-020)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Power dissipation  
Device on fiberglass substrate  
Ptot  
200  
650  
mW  
Valid that electrodes are kept at ambient  
temperature  
Junction to ambient air  
RthJA  
K/W  
Tj  
Junction temperature  
150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
- 65 to + 150  
Rev. 1.8, 22-Nov-11  
Document Number: 85764  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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BZX384B12-V-GS08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZX384B12-V-GS18 VISHAY

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 DIODE 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
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 		DIODE 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTI
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 		Small Signal Zener Diodes
BZX384-B13 NXP

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 		Voltage regulator diodes
BZX384-B13 NEXPERIA

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 		Voltage regulator diodesProduction
BZX384-B13 VISHAY

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