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BZW06-376

更新时间: 2024-11-01 00:00:51
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德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管IOT局域网
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4页 149K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

BZW06-376 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-15包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:4.73Is Samacsys:N
最大击穿电压:462 V最小击穿电压:418 V
击穿电压标称值:440 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:603 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-204ACJESD-30 代码:O-PALF-W2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:376 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BZW06-376 数据手册

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BZW 06-5V8 ... BZW 06-376B  
Unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
600 W  
Maximum stand-off voltage  
Maximale Sperrspannung  
5.8...376 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-15 (DO-204AC)  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
For bidirectional types (suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Kenn- und Grenzwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s)  
TA = 25C  
TA = 25C  
TA = 25C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
Tj  
600 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
5 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
100 A 3)  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+175C  
TS – 50…+175C  
Max. instantaneous forward voltage  
IF = 50 A  
VBR 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
VBR > 200 V  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  

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