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BZW04P136 PDF预览

BZW04P136

更新时间： 2024-02-17 23:20:36
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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BZW04P136 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.79其他特性：UL RECOGNIZED
最大击穿电压：176 V最小击穿电压：152 V
击穿电压标称值：160 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：282 V配置：SINGLE
最小二极管电容：70 pF二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.7 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：5 µA表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BZW04P136 数据手册

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GALAXY ELECTRICAL  
BZW04P-5V8 --- BZW04-376  
BL  
BREAKDOWN VOLTAGE: 5.8 --- 376 V  
PEAK PULSE POWER: 400 W  
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
FEATURES  
Plastic package has underwriters laboratory  
DO-41  
flammability classification 94V-0  
Glass passivated junction  
400W peak pulse power capability with a 10/1000μs  
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%  
Excellent clamping capability  
Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to  
V(BR) for uni-directional and 5.0ns for bi-directional types  
Devices with V  
10V ID are typically ID less than 1.0 μA  
(BR)  
High temperature soldering guaranteed:265 / 10 seconds,  
0.375"(9.5mm) lead length, 5lbs. (2.3kg) tension  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO--41, molded plastic body over  
passivated junction  
Terminals: axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: foruni-directional types the color band denotes  
the cathode, which is postitive with respect to the  
anode under normal TVS operation  
Weight: 0.012 ounces, 0.34 grams  
Mounting position: any  
DEVICES FOR BIDIRECTIONAL APPLICATIONS  
For bi-directional use add suffix letter "B" (e.g. BZW04P-6V4B).  
Electrical characteristics apply in both directions.  
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PPPM  
VALUE  
Minimum 400  
See table 1  
UNIT  
W
Peak pow er dissipation w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE1, FIG.1)  
Peak pulse current w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE1)  
IPPM  
A
Steady state pow er dissipation at TL=75  
fffffLead lengths 0.375"(9.5mm) (NOTE2)  
PM(AV)  
IFSM  
1.0  
W
Peak forw ard surge current, 8.3ms single half  
ffffSine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) (NOTE 3)  
40.0  
A
Maximum instantaneous forw ard voltage at 25A for unidirectional only (NOTE 4)  
VF  
3.5/6.5  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-50---+175  
NOTES: (1) Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derated above TA=25 per Fig. 2  
(2) Mounted on copper pad area of 1.6" x 1.6"(40 x40mm2) per Fig. 5  
www.galaxycn.com  
(3) Measured of 8.3ms single half sine-w ave or equare w ave, duty cycle=4 pulses per minute maximum  
(4) VF=3.5 Volt max. for devices of V(BR) 220V, and VF=5.0 Volt max. for devices of V(BR) >220V  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
Document Number 0285007  
1234

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BZW04P136 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P4KE160-G SENSITRON

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P4KE160 MCC

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 400 Watt Transient Voltage Suppressors 6.8 to 400 Volts
P4KE160 VISHAY

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 TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04P136/100 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/23 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/4E VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/4F VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/4G VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/4H VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/51 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 136V V(RWM), Unidirectional,
BZW04P136/53 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/54 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04P136/56 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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