BZW04P13

更新时间： 2024-11-17 00:01:23

品牌	Logo	应用领域
EIC		瞬态抑制器二极管
页数	文件大小	规格书
5页	59K
描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZW04P13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	击穿电压标称值：	15 V
最大钳位电压：	21.2 V	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	13 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

BZW04P13 数据手册

TRANSIENT VOLTAGE

SUPPRESSOR

BZW04 SERIES

VBR : 6.8 - 440 Volts

PPK : 400 Watts

DO - 41

1.00 (25.4)

FEATURES :

0.107 (2.74)

MIN.

* 400W surge capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

* Fast response time : typically less

then 1.0 ps from 0 volt to V_BR(min)

* Typical I_Rless then 1mA above 10V

0.080 (2.03)

0.205 (5.20)

0.160 (4.10)

1.00 (25.4)

MIN.

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

Dimensions in inches and (millimeters)

* Polarity : Color band denotes cathode end except Bipolar.

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For bi-directional use B Suffix.

Electrical characteristics apply in both directions

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Symbol

Value

Unit

Peak Power Dissipation at Ta = 25 °C, Tp=1ms (Note1)

Steady State Power Dissipation at TL = 75 °C

Lead Lengths 0.375", (9.5mm) (Note 2)

PPK

Minimum 400

Watts

1.0

Watt

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half

Sine-Wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC Method) (Note 3)

IFSM

Amps.

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

- 65 to + 175

°C

Note :

(1 ) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25 °C per Fig. 1

(2) Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in²(40mm²).

(3) 8.3 ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

UPDATE : MAY 18, 1998

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与BZW04P13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZW04P13/100	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/4E	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/4F	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/4G	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/4H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 12.8V V(RWM), Unidirectional,
BZW04P13/53	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/54	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/56	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04P13/58	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

与BZW04P13相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZW04P13

BZW04P13 技术参数

BZW04P13 数据手册

与BZW04P13相关器件

与BZW04P13相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZW04P13

BZW04P13 技术参数

BZW04P13 数据手册

与BZW04P13相关器件

与BZW04P13相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？