BZW04-33

更新时间： 2024-11-04 00:01:23

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德欧泰克 - DIOTEC		瞬态抑制器二极管局域网
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描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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BZW04-33 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-15	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	1.57	最大击穿电压：	41 V
最小击穿电压：	37.1 V	击穿电压标称值：	39 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	53.9 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AC
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-50 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	33.3 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BZW04-33 数据手册

BZW 04-5V8 ... BZW 04-376B

Unidirectional and bidirectional

Transient Voltage Suppressor Diodes

Unidirektionale und bidirektionale

Spannungs-Begrenzer-Dioden

Peak pulse power dissipation

Impuls-Verlustleistung

400 W

Maximum stand-off voltage

Maximale Sperrspannung

5.8...376 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

DO-15 (DO-204AC)

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

For bidirectional types (suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.

Für bidirektionale Dioden (Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.

Maximum ratings and Characteristics

Kenn- und Grenzwerte

Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)

Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)

T_A= 25ꢀC

P_PPM

P_M(AV)

I_FSM

400 W ¹)

Steady state power dissipation

Verlustleistung im Dauerbetrieb

1 W ²)

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

40 A ³)

Max. instantaneous forward voltage

I_F= 25A

V_BRꢀ 200 V

V_F

< 3.0 V ³)

< 6.5 V ³)

Augenblickswert der Durchlaßspannung

V_BR> 200 V

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+175ꢀC

T_S– 50…+175ꢀC

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 45 K/W ²)

< 15 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to lead

R_thL

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht

)

Non-repetitive current pulse see curve I_PPM= f (t_r)

Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve I_PPM= f (t_r)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden

07.01.2003

12 3 4

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BZW04-33 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
P6KE39A	VISHAY	类似代替	TRANSZORB TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZW04-33(39V)	ETC	获取价格	Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-33/100	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/4E	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/4F	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/4G	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/4H	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33.3V V(RWM), Unidirectional,
BZW04-33/53	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-33/54	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33.3V V(RWM), Unidirectional,
BZW04-33/56	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO

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