5秒后页面跳转
BZW04-239B PDF预览

BZW04-239B

更新时间: 2024-01-03 15:52:59
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

BZW04-239B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.55
击穿电压标称值:280 V最大钳位电压:384 V
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE极性:BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:239 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NOBase Number Matches:1

BZW04-239B 数据手册

 浏览型号BZW04-239B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZW04-239B的Datasheet PDF文件第3页 
BZW04-5V8 ... BZW04-376B  
BZW04-5V8 ... BZW04-376B  
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Version 2005-07-15  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Ø 3±0.05  
Nominal Stand-off voltage  
Nominale Sperrspannung  
5.8...376 V  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
DO-15  
(DO-204AC)  
Weight approx  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Ø 0.8±0.05  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TA = 75°C  
TA = 25°C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
IF = 25 A  
VBR 200 V  
VBR > 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
2
3
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1

BZW04-239B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZW04-239B VISHAY

功能相似

TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

与BZW04-239B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04-239B(280V) ETC

获取价格

Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-239B/100 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/4E VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/4F VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/4G VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/4H VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/51 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 239V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-239B/53 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
BZW04-239B/54 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 239V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-239B/56 VISHAY

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 239V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2