是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.92 |
配置: | SINGLE | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 2.5 Ω | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大功率耗散: | 6 W | 标称参考电压: | 15 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn80Pb20) | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 75 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZW03-C15T/R | NXP |
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DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transie | |
BZW03C15-TR | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, GLASS, SOD-64, | |
BZW03C16 | VISHAY |
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Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors | |
BZW03C16 | TEMIC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, | |
BZW03C16 | SUNMATE |
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6.0W axial zener diode DO-201 16V series | |
BZW03-C16 | NXP |
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Voltage regulator diodes | |
BZW03-C16 | PHILIPS |
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暂无描述 | |
BZW03-C16/20112 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C16/20113 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
BZW03-C16/20133 | NXP |
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DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |