BZV58C11

更新时间： 2024-11-12 00:00:51

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管齐纳二极管测试 IOT
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描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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BZV58C11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	2.5 Ω
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大功率耗散：	5 W
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	125 mA	Base Number Matches：	1

BZV58C11 数据手册

BZV58 C8V2 … BZV58 C200 (5 W)

Silizium-Leistungs-Z-Dioden

Silicon-Power-Z-Diodes

(non-planar technology)

(flächendiffundierte Dioden)

Maximum power dissipation

Maximale Verlustleistung

5 W

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

8.2…200 V

~ DO-201

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

1 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der

internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf

Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation

Verlustleistung

T_A= 25ꢀC

P_tot

P_ZSM

T_j

5.0 W ¹)

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

60 W

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+175ꢀC

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thL

< 25 K/W ¹)

< 8 K/W

Thermal resistance junction to lead

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht

Zener voltages see table on next page

Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

218

28.02.2002

12 3

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BZV58C11 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SZN4959TX	SSDI	功能相似	Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
NTE5126A	NTE	功能相似	NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt 5% Tolerance
SZN4959	SSDI	功能相似	6.8 – 390 VOLTS ZENER DIODES

与BZV58C11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZV58C110	DIOTEC	获取价格	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
BZV58C110	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
BZV58C12	DIOTEC	获取价格	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
BZV58C12	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
BZV58C120	DIOTEC	获取价格	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
BZV58C120	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
BZV58C13	DIOTEC	获取价格	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
BZV58C13	SEMIKRON	获取价格	Zener silicon diodes
BZV58C130	DIOTEC	获取价格	Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
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