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BZV55C68

更新时间： 2024-02-01 09:36:35

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描述
BZV55C-SERIES SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZV55C68 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	68 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.88%	工作测试电流：	2.5 mA
Base Number Matches：	1

BZV55C68 数据手册

Website: www.kingtronics.com

Email: info@kingtronics.com Tel: (852) 8106 7033 Fax: (852) 8106 7099

BZV55C-SERIES

SILICON PLANAR ZENER DIODES

LL-34

FEATURES

◆ Total power dissipation: max. 500 mW

◆ Two tolerance series: ± 2% and approx. ± 5%

Standard tolerance: approx. ±5% (refer to below "zener voltage

range") ; ±2% tolerance available on request.

Glass Case MiniMELF

Dimensions in mm

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings Ta=25℃

PARAMETER

SYMBOL

Ptot

VALUE

UNIT

℃

Power Dissipation

500

Junction and Storage Temperature Range

Tj, Tstg

-65 to + 200

1)Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Characteristics at Ta=25℃

PARAMETER

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at IF = 100 mA

SYMBOL

RthA

MAX

UNIT

K/mW

0.3

0.9

Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

12 3

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