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BZV55B6V2

更新时间: 2024-11-24 19:35:51
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

BZV55B6V2 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.56
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZV55B6V2 数据手册

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