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BZV55B6V2

更新时间: 2024-11-20 18:41:47
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国巨 - YAGEO 测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZV55B6V2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.56
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V最大反向电流:3 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:3.7 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZV55B6V2 数据手册

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