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BZV55B12TRL

更新时间: 2024-11-13 19:41:59
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
12V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55B12TRL 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.58Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:40
电压温度Coeff-Max:10 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

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