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BZV55B12TRL

更新时间: 2024-11-13 18:41:47
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国巨 - YAGEO 测试二极管
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZV55B12TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:12 V
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END电压温度Coeff-Max:10 mV/ °C
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZV55B12TRL 数据手册

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