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BZV55-C39

更新时间: 2024-11-29 00:00:51
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恩智浦 - NXP 稳压二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
12页 62K
描述
Voltage regulator diodes

BZV55-C39 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.21Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:130 ΩJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:39 V
最大反向电流:0.05 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin (Sn)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:40
电压温度Coeff-Max:41.2 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:2 mABase Number Matches:1

BZV55-C39 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZV55 series  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2002 Feb 28  
Supersedes data of 1999 May 21  

BZV55-C39 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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