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BZT52C3V3S

更新时间： 2024-02-07 18:50:53
品牌 Logo 应用领域
海德 - HDSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1895K
描述
SOD323 Plastic-Encapsulate Diodes

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BZT52C3V3S 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W标称参考电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：6.06%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52C3V3S 数据手册

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Electrical Characteristics (T =25 unless otherwise noted)  
℃
A
Maximum  
Reverse  
Current  
(Note 2)  
Typical  
Test  
Current  
IZTC  
Maximum Zener Impedance  
Temperature  
Coefficient  
@IZTC mV/℃  
Zener Voltage Range (Note 2)  
(Note 3)  
TYPE  
Marking  
VZ@IZT  
IZT  
ZZT@IZT  
ZZK@IZK  
IZK  
(mA)  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
IR  
VR  
V
Nom(V)  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
Min(V)  
2.20  
2.5  
Max(V)  
2.60  
2.9  
(mA)  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Ω
μA  
50  
20  
10  
5
Min  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-2.7  
-2  
Max  
0
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
BZT52C2V4S  
BZT52C2V7S  
BZT52C3V0S  
BZT52C3V3S  
BZT52C3V6S  
BZT52C3V9S  
BZT52C4V3S  
BZT52C4V7S  
BZT52C5V1S  
BZT52C5V6S  
BZT52C6V2S  
BZT52C6V8S  
BZT52C7V5S  
BZT52C8V2S  
BZT52C9V1S  
BZT52C10S  
BZT52C11S  
BZT52C12S  
BZT52C13S  
BZT52C15S  
BZT52C16S  
BZT52C18S  
BZT52C20S  
BZT52C22S  
BZT52C24S  
BZT52C27S  
BZT52C30S  
BZT52C33S  
BZT52C36S  
BZT52C39S  
WX  
W1  
W2  
W3  
W4  
W5  
W6  
W7  
W8  
W9  
WA  
WB  
WC  
WD  
WE  
WF  
WG  
WH  
WI  
100  
100  
95  
95  
90  
90  
90  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
25  
30  
30  
40  
45  
55  
55  
70  
80  
80  
80  
90  
130  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
1.0  
1.0  
0
2.8  
3.2  
1.0  
0
3.1  
3.5  
1.0  
0
3.4  
3.8  
5
1.0  
0
3.7  
4.1  
3
1.0  
0
4.0  
4.6  
3
1.0  
0
4.4  
5.0  
3
2.0  
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13  
4.8  
5.4  
2
2.0  
5.2  
6.0  
1
2.0  
5.8  
6.6  
3
4.0  
0.4  
6.4  
7.2  
2
4.0  
1.2  
7.0  
7.9  
80  
1
5.0  
2.5  
7.7  
8.7  
80  
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5.0  
3.2  
8.5  
9.6  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
350  
6.0  
3.8  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32.0  
35.0  
38.0  
41.0  
7.0  
4.5  
11  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28.0  
31.0  
34.0  
37.0  
8.0  
5.4  
12  
8.0  
6.0  
13  
8.0  
7.0  
WJ  
WK  
WL  
WM  
WN  
WO  
WP  
WQ  
WR  
WS  
WT  
15  
10.5  
11.2  
12.6  
14.0  
15.4  
16.8  
18.9  
21.0  
23.1  
25.2  
27.3  
9.2  
16  
10.4  
12.4  
14.4  
16.4  
18.4  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
14  
18  
16  
20  
18.0  
20.0  
22.0  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2 .  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. f = 1kHz.  
2
H
igh Diode Semiconductor  
12345

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