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BZT52C18

更新时间: 2024-11-30 22:56:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
4页 407K
描述
410 mW Zener Diodes 2.4 to 39 Volts

BZT52C18 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.31配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:18 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
最大电压容差:6.41%工作测试电流:5 mA

BZT52C18 数据手册

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BZT52C2V4  
THRU  
BZT52C39  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
410 mW  
l
l
l
l
Planar Die construction  
410mW Power Dissipation  
Zener Voltages from 2.4V - 39V  
Zener Diodes  
2.4 to 39 Volts  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Mechanical Data  
l
l
l
l
l
Case: SOD-123 Molded Plastic  
SOD123  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.008 gram  
A
B
Mounting Position: Any  
Storage & Operating Junction Temperature: -55oC to +150oC  
C
E
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
Zener Current  
Maximum Forward  
Voltage  
IF  
VF  
100  
1.2  
mA  
V
H
D
Power Dissipation  
(Notes A)  
Peak Forward Surge  
Current (Notes B)  
P(AV)  
410  
2.0  
mWatt  
Amps  
J
G
DIMENSIONS  
IFSM  
DIM  
INCHES  
MIN  
MM  
NOTE  
MAX  
.152  
.112  
.071  
.053  
.031  
-----  
.01  
MIN  
3.55  
2.55  
1.40  
-----  
0.30  
0.15  
-----  
-----  
MAX  
3.85  
2.85  
1.80  
1.35  
.78  
-----  
.25  
.15  
NOTES:  
A
B
C
D
E
G
H
J
.140  
.100  
.055  
-----  
.012  
.006  
-----  
-----  
A. Mountedon5.0mm2(.013mmthick)landareas.  
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent  
squarewave, dutycycle=4pulsesperminutemaximum.  
.006  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
0.093"  
0.048”  
0.036”  
www.mccsemi.com  

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