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BZT03D110

更新时间: 2024-01-12 05:44:34
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors

BZT03D110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:250 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:1.3 W标称参考电压:110 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:10%
Base Number Matches:1

BZT03D110 数据手册

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BZT03D...  
Vishay Telefunken  
Type  
BZT03D...  
Min.  
V
V
r
zj  
and  
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2
2
2
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4
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7
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10  
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15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
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40  
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45  
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80  
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100  
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250  
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300  
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TK  
%/K  
Min.  
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at  
I
I
at  
V
R
Z
VZ  
Z
R
mA  
A
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Typ.  
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1
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2
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5
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6
6
6
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0.11  
0.11  
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0.12  
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0.13  
0.13  
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100  
100  
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50  
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25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
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10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
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0.03  
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0.06  
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0.08  
0.08  
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1
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1
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1
1
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1
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1
1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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8
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21  
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24  
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25  
25  
25  
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30  
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60  
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5
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198  
216  
243  
2
2
2
1
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
2 (5)  
Document Number 85600  
Rev. 2, 01-Apr-99  

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