BZG4757A

更新时间： 2024-11-09 12:59:19

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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BZG4757A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	95 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散：	1.25 W	标称参考电压：	51 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZG4757A 数据手册

BZG47.. , BZG47..A

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes

Features

Passivated junction

High reliability

Voltage range 3.3 V to 100 V

Fits onto 5 mm SMD footpads

Wave and reflow solderable

Znom

±10% and ±5% tolerance

15 811

Applications

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Non repetitive peak surge

power dissipation

Test Conditions

<100K/W, T =25 C

t =100 s sq.pulse,

Type

Symbol

Value

1.25

Unit

thJA

amb

ZSM

T =25 C prior to surge

Junction temperature

Storage temperature range

stg

150

–65...+150

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction lead

Test Conditions

Symbol

Value

150

125

100

Unit

K/W

thJL

thJA

Junction ambient mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), Fig. 1b

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.2A

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.2

Document Number 85623

Rev. 5, 06-Aug-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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