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BZG05C56-HE3-TR

更新时间： 2024-11-14 14:29:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
Zener Diode, 56V V(Z), 7.14%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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BZG05C56-HE3-TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1.25 W
参考标准：AEC-Q101标称参考电压：56 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
最大电压容差：7.14%工作测试电流：4 mA
Base Number Matches：1

BZG05C56-HE3-TR 数据手册

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BZG05C-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
Zener Diodes  
FEATURES  
• High reliability  
• Voltage range 3.3 V to 100 V  
• Fits onto 5 mm SMD footpads  
• Wave and reflow solderable  
• AEC-Q101 qualified available  
• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
• Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PARAMETER  
VZ range nom.  
Test current IZT  
VBR  
VALUE  
3.3 to 100  
2.7 to 80  
5.2 to 95  
4.7 to 90  
40  
UNIT  
V
mA  
V
APPLICATIONS  
• Voltage stabilizationꢀ  
VWM  
V
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PPPM  
W
TJ max.  
150  
°C  
VZ specification  
Int. construction  
Polarity  
Pulse current  
Single  
Uni-directional  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
BZG05C-series-E3-TR  
BZG05C-series-E3-TR3  
BZG05C-series-HE3-TR  
BZG05C-series-HE3-TR3  
TAPED UNITS PER REEL  
1500 per 7" reel  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
6000/box  
BZG05C-series  
BZG05C-series  
6000 per 13" reel  
1500 per 7" reel  
6000/box  
BZG05C-series  
6000/box  
BZG05C-series  
6000 per 13" reel  
6000/box  
PACKAGE  
MOLDING COMPOUND  
FLAMMABILITY RATING  
MOISTURE SENSITIVITY  
LEVEL  
PACKAGE NAME  
WEIGHT  
SOLDERING CONDITIONS  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
DO-214AC  
77 mg  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
3000  
1250  
60  
UNIT  
mW  
mW  
W
RthJA < 30 K/W, Tamb = 60 °C  
Power dissipation  
R
thJA < 100 K/W, Tamb = 25 °C  
Ptot  
Non repetitive peak surge power dissipation  
Junction to lead  
tp = 100 μs sq. pulse, Tj = 25 °C prior to surge  
PZSM  
RthJL  
RthJA  
RthJA  
RthJA  
Tj  
30  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
°C  
Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1a  
Mounted on epoxy-glass hard tissue, fig. 1b  
Mounted on Al-oxid-ceramic (Al2O3), fig. 1b  
150  
Junction to ambient air  
125  
100  
Junction temperature  
150  
Storage temperature range  
Forward voltage (max.)  
Tstg  
-65 to +150  
1.2  
°C  
IF = 0.2 A  
VF  
V
Rev. 1.0, 29-Aug-14  
Document Number: 85893  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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BZG05C56-HE3-TR 替代型号

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