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BZG05C5V1

更新时间： 2024-09-21 20:25:15

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	47K
描述
Zener Diode, 5.1V V(Z), 5.9%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-214AC,

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BZG05C5V1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.1 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5.9%	工作测试电流：	45 mA
Base Number Matches：	1

BZG05C5V1 数据手册

BZG05C...

Silicon Z–Diodes

Features

Glass passivated junction

High reliability

Voltage range 3.3V to 15V

Fits onto 5 mm SMD footpads

Wave and reflow solderable

Applications

94 9535

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

<30K/W, T =60 C

Power dissipation

thJA

amb

<100K/W, T =25 C

1.25

thJA

amb

Non repetitive peak surge

power dissipation

t =100 s sq.pulse, T =25 C

ZSM

prior to surge

Junction temperature

150

Storage temperature range

stg

–65...+150

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

K/W

Junction lead

thJL

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1a

mounted on epoxy–glass hard tissue, Fig. 1b

150

125

100

Junction ambient

thJA

mounted on Al–oxid–ceramic (Al O ), Fig. 1b

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.2A

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.2

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (5)

Rev. A2, 24-Jun-96

12 3 4 5

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