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BZG04-200T/R

更新时间: 2024-11-24 12:59:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
7页 35K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Suppressor

BZG04-200T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:228 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ACJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BZG04-200T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
handbook, halfpage  
68  
BZG04 series  
Transient voltage suppressor  
diodes  
1996 Sep 19  
Preliminary specification  
Supersedes data of 1996 Jun 10  

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