BZG04-200-TR

更新时间： 2024-11-20 13:06:03

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管齐纳二极管
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6页	184K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214, PLASTIC, SIMILAR TO SMA, 2 PIN

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BZG04-200-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.78	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	228 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BZG04-200-TR 数据手册

BZG04-Series

Vishay Semiconductors

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Glass passivated junction

• High reliability

• Stand-off Voltage range 8.2 V to 220 V

• Excellent clamping cabability

• Fast response time (typ. ≤ 1 ps from 0 to V

• Lead (Pb)-free component

)

Zmin

15811

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Applications

Protection from high voltage, high energy transients

Mechanical Data

Case: DO-214AC

Weight: approx. 77 mg

Packaging Codes/Options:

TR / 1.5 k 7 " reel

TR3 / 6 k 13 " reel 6 k/box

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Power dissipation

Test condition

Symbol

P_diss

Value

Unit

R_thJA< 25 K/W, T_amb= 100 °C

_thJA< 100 K/W, T_amb= 50 °C

P_diss

1.25

300

Non repetitive peak surge power t_p= 10/1000 µs sq.pulse,

P_ZSM

dissipation

T_j= 25 °C prior to surge

Peak forward surge current

Junction temperature

10 ms single half sine wave

I_FSM

T_j

150

°C

Storage temperature range

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJL

Value

Unit

Junction lead

K/W

Junction ambient

mounted on epoxy-glass hard

tissue, Fig. 1a

R_thJA

150

125

100

mounted on epoxy-glass hard

tissue, Fig. 1b

K/W

mounted on Al-oxid-ceramic

(Al₂O₃), Fig. 1b

Electrical Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

I_F= 0.5 A

Symbol

V_F

Min

Typ.

Max

1.2

Unit

Forward voltage

Document Number 85594

Rev. 2.2, 15-Sep-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZG04200TR3	TEMIC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 200V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
BZG04-200-TR3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 200V V(RWM), Unidirectional,
BZG04-20115	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, Transient Suppressor
BZG04-20-HM3-08	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 20V 50A DO214AC
BZG04-20-HM3-18	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 20V 50A DO214AC
BZG04-20-M	VISHAY	获取价格	Zener Diodes with Surge Current Specification
BZG04-20-M3-08	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 20V 50A DO214AC
BZG04-20-M3-18	VISHAY	获取价格	DIODE ZENER 20V 50A DO214AC
BZG04-20T/R	NXP	获取价格	DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, PLASTIC PACKAGE-2, Transient Su
BZG0420TR	VISHAY	获取价格	300W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214, PLASTIC, DO-214, 2 PIN

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