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BYZ50A47R

更新时间： 2024-01-03 15:23:16

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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BYZ50A47R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.8
最大击穿电压：	51.7 V	最小击穿电压：	42.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-MUPF-P1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	215 °C
最低工作温度：	-50 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BYZ50A47R 数据手册

BYZ 50A22 ... BYZ 50A47

BYZ 50K22 ... BYZ 50K47

Silicon Protectifiers

Silizium Schutzgleichrichter

mit Begrenzereigenschaften

Hochtemperaturdioden

with TVS characteristics

High-temperature diodes

Ø 12.75

Ø 11 ^±0.1

Nominal current – Nennstrom

50 A

Nominal breakdown voltage

Nominale Abbruch-Spannung

19.8 ... 51.7 V

Metal press-fit case with plastic cover

1.3

Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung

Weight approx. – Gewicht ca.

10 g

Casting compound has UL classification 94V-0

Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert

Ø 13^±01

Standard packaging: bulk

Standard Lieferform: lose im Karton

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings

Grenzwerte

Type / Typ

Breakdown voltage

Abbruch-Spannung

I_T= 100 mA

Reverse voltage

Sperrspannung

I_R= 5 ꢀA

Max. clamping voltage

Max. Begrenzerspanng.

at / bei I_PP, t_p= 1m s

Wire to / Draht an

Anode

Cathode

V_BRmin[V] V_BRmax

V_R[V]

V_C[V]

31,9

39,1

47,7

56,4

67,8

I_PP[A]

242

BYZ 50A22

BYZ 50A27

BYZ 50A33

BYZ 50A39

BYZ 50A47

BYZ 50K22

BYZ 50K27

BYZ 50K33

BYZ 50K39

BYZ 50K47

19.8

24.3

29.7

35.1

42.3

24.2

29.7

36.3

42.9

51.7

> 17.8

> 21.8

> 26.8

> 31.6

> 38.1

192

160

134

112

Max. average forward rectified current, R-load

T_C= 150ꢀC

T_A= 25ꢀC

I_FAV

50 A

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle

I_FSM

400 / 450 A

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms

T_A= 25ꢀC

i²t

V_F

T_j

800 A²s

< 1.1 V

Forward voltage – Durchlaßspannung

T_j= 25ꢀC

I_F= 50 A

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 50…+215ꢀC

T_S– 50…+215ꢀC

04.09.2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYZ50AK22	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 16V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50AK27	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50AK33	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50AK37	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50AK39	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 32V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50K22	DIOTEC	获取价格	Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes
BYZ50K22	SEMIKRON	获取价格	Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes
BYZ50K26	SEMIKRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, METAL PACKAGE-1
BYZ50K27	SEMIKRON	获取价格	Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes
BYZ50K27	DIOTEC	获取价格	Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes

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