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BYZ50AK27

更新时间： 2024-01-03 17:29:33
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 206K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 20V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, METAL, 1 PIN

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BYZ50AK27 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-MUPF-P1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.84其他特性：UL CLASSIFICATION
最大击穿电压：29 V最小击穿电压：25 V
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-MUPF-P1JESD-609代码：e3/e4
最大非重复峰值反向功率耗散：10000 W元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：225 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：PRESS FIT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：TIN/SILVER端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYZ50AK27 数据手册

  
BYZ 50A22 ... BYZ50K39  
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1
10-05-2004 DAM  
© by SEMIKRON  
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与BYZ50AK27相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYZ50AK33 SEMIKRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 10000W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ME
BYZ50AK37 SEMIKRON

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BYZ50K22 DIOTEC

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