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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYWF29-200HE3/45
BYWF29-200HE3/45 PDF预览

BYWF29-200HE3/45

更新时间： 2024-11-16 09:03:47
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威世 - VISHAY 整流二极管功效局域网
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
Ultrafast Rectifier

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BYWF29-200HE3/45 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

BYWF29-200HE3/45 数据手册

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BYW(F,B)29-50 thru BYW(F,B)29-200  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
ITO-220AC  
TO-220AC  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
2
2
1
1
BYW29 Series  
BYWF29 Series  
PIN 1  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and  
ITO-220AC package)  
PIN 1  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters, and other power switching  
application.  
1
BYWB29 Series  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
IF(AV)  
8.0 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V to 200 V  
100 A  
25 ns  
VF  
0.8 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
VDC  
BYW29-50 BYW29-100 BYW29-150 BYW29-200 UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TC = 105 °C  
100  
IF(AV)  
8.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
100  
A
°C  
V
Operating and storage temperature range  
- 65 to + 150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
Document Number: 88560  
Revision: 07-Nov-07  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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BYWF29-200HE3/45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYWF29-200-E3/45 VISHAY

完全替代

 Ultrafast Rectifier
BYWF29-200 VISHAY

功能相似

 FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

与BYWF29-200HE3/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYWF29-200-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, R
BYWF29-50 VISHAY

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 		FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
BYWF29-50-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2
BYWF29-50HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2
BYWF29-50-HE3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2
BYX100G NXP

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 		DIODE 0.39 A, 11000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYX101 NXP

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 		High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYX101G NXP

获取价格

 		High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYX101GAMO NXP

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 		0.4A, 10000V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, COMPACT, GLASS PACKAGE-2
BYX101GT/R NXP

获取价格

 		DIODE 0.4 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diod

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