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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.39 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 11000 V | 最大反向恢复时间： | 0.5 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYX101 | NXP |
获取价格 |
High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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| BYX101G | NXP |
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High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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| BYX101GAMO | NXP |
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0.4A, 10000V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, COMPACT, GLASS PACKAGE-2 |
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| BYX101GT/R | NXP |
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DIODE 0.4 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diod |
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| BYX102G | NXP |
获取价格 |
High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
|
| BYX102GAMO | NXP |
获取价格 |
0.36A, 10000V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, COMPACT, GLASS PACKAGE-2 |
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| BYX102GT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.36 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Dio |
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| BYX103G | NXP |
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High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
|
| BYX103GT/R | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.31 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Dio |
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| BYX104G | NXP |
获取价格 |
High-voltage soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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