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BYW27-200GP

更新时间： 2024-01-25 20:11:21

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	78K
描述
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier

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BYW27-200GP 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	20 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BYW27-200GP 数据手册

BYW27-100GP, BYW27-200GP, BYW27-400GP, BYW27-600GP, BYW27-800GP

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability

application

SUPERECTIFIER^®

• Cavity-free glass-passivated junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

DO-204AL (DO-41)

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of power supplies,

inverters, converters and freewheeling diodes for consumer

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

100 V, 200 V, 400 V, 600 V, 800 V

I_FSM

30 A

3.0 μs

MECHANICAL DATA

t_rr

I_R

Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

200 nA

V_F

1.0 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

T_Jmax.

Package

Diode variation

175 °C

DO-204AL (DO-41)

Single die

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

BYW27-

100GP

BYW27-

200GP

BYW27-

400GP

BYW27-

600GP

BYW27-

800GP

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Maximum repetitive

peak reverse voltage

V_RRM

100

200

400

600

800

Maximum average forward

rectified current 0.375" (9.5 mm)

lead length (fig. 1)

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current

8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage

temperature range

T_J, T_STG

-65 to +175

°C

Revision: 07-Nov-16

Document Number: 88949

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与BYW27-200GP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYW27-200GPE3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D
BYW27-200GP-E3/54	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode,
BYW27-200GPHE3/54	VISHAY	获取价格	1A,200V,STD.SUPERECT. - Tape and Reel
BYW27-200HE3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN, S
BYW27-400	DIOTEC	获取价格	Silicon Rectifiers
BYW27-400	EIC	获取价格	SILICON RECTIFIERS
BYW27-400	SYNSEMI	获取价格	SILICON RECTIFIER DIODES
BYW27-400	SEMIKRON	获取价格	Standard silicon rectifier diodes
BYW27-400E3/54	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN, S
BYW27-400GP	VISHAY	获取价格	Diode,

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