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BYV29B-300HE3/81

更新时间： 2024-11-13 22:57:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB

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BYV29B-300HE3/81 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.03 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYV29B-300HE3/81 数据手册

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BYV29-xxx, BYV29F-xxx, BYV29B-xxx, UG8xT, UGF8xT, UGB8xT  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Power pack  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
2
• High forward surge capability  
2
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
245 °C (for TO-263AB package)  
1
BYV29, UG8 Series  
BYV29F, UGF8 Series  
PIN 1  
PIN 1  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
(for TO-220AC and ITO-220AC package)  
CASE  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• AEC-Q101 qualified  
K
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes, DC/DC  
converters, and other power switching application.  
BYV29B, UGB8 Series  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
8.0 A  
Base P/N-E3  
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified  
-
RoHS-compliant, commerical grade  
VRRM  
IFSM  
trr  
300 V to 400 V  
110 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix  
35 ns  
VF  
1.03 V  
TJ max.  
150 °C  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TO-220AC, ITO-220AC,  
TO-263AB  
Package  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs max.  
Diode variations  
Single die  
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)  
BYV29-300  
UG8FT  
BYV29-400  
UG8GT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRWM  
VRMS  
300  
300  
210  
300  
400  
400  
280  
400  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
V
A
Maximum average forward rectified current at TC = 100 °C  
IF(AV)  
8.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
110  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
VAC  
-40 to +150  
1500  
°C  
V
Isolation voltage (ITO-220AC only) from terminal to heatsink t = 1 min  
Revision: 08-Jan-15  
Document Number: 88557  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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与BYV29B-300HE3/81相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV29B-300-HE3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
BYV29B-400 VISHAY

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 		Ultrafast Rectifier
BYV29B-400-E3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
BYV29B-400-E3/81 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
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BYV29B-400HE3_A/I VISHAY

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BYV29B-400HE3_A/P VISHAY

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