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BYV28-50/4

更新时间： 2024-09-25 14:41:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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BYV28-50/4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：E-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：90 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3.5 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.03 µs表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：TIN SILVER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYV28-50/4 数据手册

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BYV28/...  
Vishay Semiconductors  
Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode  
Features  
• Controlled avalanche characteristic  
• Low forward voltage  
e2  
• Ultra fast recovery time  
949588  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Lead (Pb)-free component  
Mechanical Data  
Case: SOD-64 Sintered glass case  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Applications  
Very fast rectification e.g. for switch mode power sup-  
ply  
Weight: approx. 858 mg  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
VR = 50 V; IFAV = 3.5 A  
Package  
SOD-64  
BYV28-50  
BYV28-100  
BYV28-150  
BYV28-200  
V
V
V
R = 100 V; IFAV = 3.5 A  
R = 150 V; IFAV = 3.5 A  
R = 200 V; IFAV = 3.5 A  
SOD-64  
SOD-64  
SOD-64  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
VRSM  
Value  
55  
Unit  
V
Peak reverse voltage, non  
repetitive  
see electrical characteristics  
BYV28/50  
BYV28/100  
BYV28/150  
BYV28/200  
BYV28/50  
VRSM  
VRSM  
110  
165  
220  
50  
V
V
V
V
VRSM  
Reverse voltage = Repetitive  
peak reverse voltage  
see electrical characteristics  
tp = 10 ms, half sinewave  
V
R = VRRM  
BYV28/100  
BYV28/150  
BYV28/200  
VR = VRRM  
100  
150  
200  
90  
V
V
V
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
V
V
Peak forward surge current  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
A
IFRM  
25  
A
IFAV  
3.5  
20  
A
Pulse energy in avalanche  
mode, non repetitive (inductive  
load switch off)  
I
(BR)R = 1 A, Tj = 175 °C  
ER  
mJ  
Junction and storage  
temperature range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
Document Number 86044  
Rev. 1.6, 14-Apr-05  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV28-50/40112 NXP

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 		DIODE 3.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-50/40113 NXP

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 		DIODE 3.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-50/A52R ETC

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 		DIODE ULTRA FAST

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