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BYV28-6

更新时间： 2024-09-25 09:03:39

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SINTERED GLASS JUNCTION ULTRAFAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE：600V CURRENT: 3.1A

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BYV28-6 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	E-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JESD-30 代码：	E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	90 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	3.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	5 µA
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BYV28-6 数据手册

BYV28-6

SINTERED GLASS JUNCTION

ULTRAFAST AVALANCHE RECTIFIER

VOLTAGE：600V

CURRENT: 3.1A

SOD-64

FEATURE

Glass passivated

High maximum operating temperature

Low leakage current

Excellent stability

Guaranteed avalanche energy absorption capability

MECHANICAL DATA

Case: SOD-64 sintered glass case

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Polarity: color band denotes cathode end

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)

SYMBOL

BYV28-6

units

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

600

420

600

3.1

Maximum DC blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

3/8”lead length at I =10mm

Peak Forward Surge Current at tp=10ms,half

sinewave

Maximum Forward Voltage at Forward Current

IF=3.5A and 25℃

Non-repetitive peak reverse avalanche energy

(Note 1)

I_FAV

I_FSM

V_F

1.25

E_RSM

5.0

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

Ta =25°C

Ta =150°C

I_R

µA

150.0

Maximum Reverse Recovery Time

Typical Thermal Resistance

(Note 2)

(Note 3)

Trr

K/W

°C

Rth(ja)

Tstg, Tj

Storage and Operating Junction Temperature

Note:

-65 to +175

1. L=120Mh,Tj-Tjmax prior to surge; inductive load switched off

2. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A

3. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5mm thick; thickness of Cu-layer≥40μm

Rev.A1

www.gulfsemi.com

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与BYV28-6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYV28600	VISHAY	获取价格	Ultra Fast Soft-Recovery Avalanche Rectifier
BYV28-600	VISHAY	获取价格	Ultra-Fast Avalanche Sinterglass Diode
BYV28-600	LGE	获取价格	Super Fast Rectifiers
BYV28-600	SUNMATE	获取价格	3.5A plug-in fast recovery diode 600V DO-201 series
BYV28-600	NXP	获取价格	Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers
BYV28-600/20112	NXP	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-600/20113	NXP	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-600/20133	NXP	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-600/21112	NXP	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
BYV28-600/21113	NXP	获取价格	DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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