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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.98 V | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 90 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 1.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYV28-600/20112 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/20113 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/20133 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/21112 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/21113 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/21133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/22112 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/22113 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/22133 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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| BYV28-600/30112 | NXP |
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DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
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