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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BYV28-50-TR
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BYV28-50-TR

更新时间： 2024-09-25 13:06:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, 50V V(RRM), Silicon,

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BYV28-50-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：E-LALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3.5 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：1 µA
最大反向恢复时间：0.03 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BYV28-50-TR 数据手册

 浏览型号BYV28-50-TR的Datasheet PDF文件第2页 
BYV28-50 THRU BYV28-200  
GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 200 Volts  
Forward Current - 3.5 Amperes  
FEATURES  
♦ High temperature metallurgically bonded construction  
♦ Glass passivated cavity-free junction  
♦ Superfast recovery time for high efficiency  
♦ Low forward voltage, high current capability  
♦ Capable of meeting environmental standards  
of MIL-S-19500  
Case Style G4  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.180 (4.6)  
0.115 (2.9)  
DIA.  
♦ Hermetically sealed package  
♦ Low leakage current  
♦ High surge capability  
0.300 (7.6)  
MAX.  
♦ High temperature soldering guaranteed:  
350°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.042 (1.07)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.038 (0.962)  
DIA.  
MECHANICAL DATA  
Case: Solid glass body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
*Brazed-lead assembly is covered by Patent No. 3,930,306  
Weight: 0.037 ounce, 1.04 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOLS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
BYV28-50  
50  
BYV28-100  
100  
BYV28-150  
150  
BYV28-200  
200  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
35  
70  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
50  
100  
150  
200  
Minimum reverse breakdown voltage at 100µA  
V(BR)  
55  
110  
165  
220  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length at TL=85°C  
I(AV)  
3.5  
Amps  
Amps  
Peak forward surge current  
10ms single half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC Method) at TJ=175°C  
IFSM  
90.0  
Maximum instantaneous forward  
voltage at 3.5A  
TJ=25°C  
TJ=175°C  
1.1  
0.89  
VF  
IR  
Volts  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25°C  
TA=165°C  
1.0  
150.0  
µA  
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)  
Typical junction capacitance (NOTE 2)  
trr  
30.0  
ns  
CJ  
100.0  
pF  
RΘJA  
RΘJL  
55.0  
20.0  
Typical thermal resistance (NOTE 3, 4)  
°C/W  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
NOTES:  
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
(2) Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 Volts  
(3) Thermal resistance from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length with both leads attached to heatsinks  
(4) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5mm) lead length and mounted on P.C.B.  
4/98  
12

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