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BYM359DX

更新时间： 2024-11-23 22:39:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管局域网软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 63K
描述
Dual diode fast, high-voltage

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BYM359DX 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76Is Samacsys：N
应用：SOFT RECOVERY配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.45 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：66 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1500 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BYM359DX 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Dual diode  
fast, high-voltage  
BYM359DX  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• Low forward volt drop  
• Fast switching  
DAMPER  
MODULATOR  
VR=800 V  
modulator damper  
• Soft recovery characteristic  
• High thermal cycling  
performance  
VR=1500 V  
VF ≤ 1.3 V  
VF ≤ 1.45 V  
IF(RMS) = 11 A  
1
3
• Isolated mounting tab  
IF(RMS) =15.7 A  
2
IFSM ≤ 60 A  
IFSM ≤ 60 A  
trr ≤ 300 ns  
trr ≤ 145 ns  
GENERAL DESCRIPTION  
PINNING  
SOT399  
Combined damper and modulator  
diodes in an isolated plastic  
envelopefor horizontal deflection in  
colour TV and PC monitors.  
PIN  
1
DESCRIPTION  
case  
modulator anode.  
The BYM359DX contains diodes  
with performance characteristics  
designed specifically for  
2
common anode/cathode  
damper cathode  
3
applications from 16kHz to 56kHz  
1
2 3  
The BYM359DX series is supplied  
in the conventional leaded SOT399  
package.  
LIMITING VALUES  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
DAMPER  
MODULATOR  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNIT  
VRSM  
VRRM  
VRWM  
Peak non-repetitive reverse  
voltage.  
-
1500  
-
800  
V
Peak repetitive reverse voltage  
-
-
1500  
1300  
-
-
600  
600  
V
V
Crest working reverse voltage  
IF(AV)  
IF(RMS)  
IFRM  
Average forward current  
RMS forward current  
sinusoidal;a=1.57  
-
-
-
10  
15.7  
20  
-
-
-
8
A
A
A
11.0  
16.0  
Peak repetitive forward current  
t=25 µs δ= 0.5  
T
hs ≤ 83 ˚C  
IFSM  
Peak non-repetitive forward  
current  
t = 10ms  
-
-
60  
66  
-
-
60  
66  
A
A
t = 8.3 ms  
sinusoidal;  
with reapplied  
VRWM(MAX)  
Tstg  
TJ  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
March 2000  
1
Rev 1.000  
1234567

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