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BYG90-90115

更新时间: 2024-11-01 14:41:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
DIODE 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYG90-90115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.68 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BYG90-90115 数据手册

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