5秒后页面跳转
BYD31G PDF预览

BYD31G

更新时间: 2024-09-26 22:09:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 61K
描述
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers

BYD31G 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.41 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYD31G 数据手册

 浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BYD31G的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
andbook, halfpage  
BYD31 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Sep 18  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jun 05  

与BYD31G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYD31G113 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31G133 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31G143 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31GZ BL Galaxy Electrical

获取价格

FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31J BL Galaxy Electrical

获取价格

FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31J NXP

获取价格

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYD31J LGE

获取价格

Fast Recovery Rectifiers
BYD31J113 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31J133 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31J143 NXP

获取价格

DIODE 0.32 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode