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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.32 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 800 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.3 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYD31KZ | BL Galaxy Electrical |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| BYD31M | BL Galaxy Electrical |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| BYD31M | NXP |
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Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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| BYD31M | LGE |
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Fast Recovery Rectifiers |
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| BYD31M113 | NXP |
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DIODE 0.32 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD31M133 | NXP |
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DIODE 0.32 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| BYD31M143 | NXP |
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DIODE 0.32 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BYD31MZ | BL Galaxy Electrical |
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FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| BYD32 | NXP |
获取价格 |
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
|
| BYD32D | NXP |
获取价格 |
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers |
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