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BYD31MZ

更新时间： 2024-01-08 13:59:03
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
FAST RECOVERY RECTIFIERS

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BYD31MZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.35 V最大非重复峰值正向电流：15 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.5 A最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.25 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NOBase Number Matches：1

BYD31MZ 数据手册

 浏览型号BYD31MZ的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
BYD31D(Z)---BYD31M(Z)  
BL  
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V  
CURRENT: 0.5 A  
FAST RECOVERY RECTIFIERS  
FEATURES  
Low cost  
DO - 41  
Diffused junction  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easily cleaned with Freon Alcohol,Isopropanol and  
similar solvents  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO--41,molded plastic  
Terminals: Axial lead ,solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.012ounces,0.34 grams  
Mounting position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,50Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.  
BYD  
31D  
BYD  
31G  
BYD  
31J  
BYD  
31K  
BYD  
31M  
UNITS  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
400  
280  
200  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
1000  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forw ard rectified current  
0.5  
A
IF(AV)  
9.5mm lead length,  
@TA=75  
Peak forw ard surge current  
10ms single half-sine-w ave  
IFSM  
15.0  
A
superimposed on rated load @TJ=125  
Maximum instantaneous forw ard voltage  
@ 0.5 A  
1.35  
5.0  
VF  
IR  
V
A
Maximum reverse current  
@TA=25  
at rated DC blocking voltage @TA=100  
Maximum reverse recovery time (Note1)  
Typical junction capacitance (Note2)  
100.0  
250  
ns  
pF  
/W  
trr  
12  
CJ  
55  
Typical thermal resistance  
(Note3)  
Rθ  
JA  
Operating junction temperature range  
-55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
TJ  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.  
www.galaxycn.com  
Document Number 0261039  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
12

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