BYD31JT/R

更新时间： 2024-09-27 13:06:03

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恩智浦 - NXP		/
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9页	61K
描述
DIODE 0.32 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

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BYD31JT/R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.32 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.25 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

andbook, halfpage

M3D122

BYD31 series

Fast soft-recovery

controlled avalanche rectifiers

1996 Sep 18

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1996 Jun 05

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BYD31JZ	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31K	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31K	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers
BYD31K	LGE	获取价格	Fast Recovery Rectifiers
BYD31K113	NXP	获取价格	DIODE 0.32 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31K133	NXP	获取价格	DIODE 0.32 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31K143	NXP	获取价格	DIODE 0.32 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BYD31KZ	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31M	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BYD31M	NXP	获取价格	Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers