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BYC5-600

更新时间： 2024-11-11 22:09:59
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恩智浦 - NXP 整流二极管开关
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6页 66K
描述
Rectifier diode ultrafast, low switching loss

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BYC5-600 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否无铅： 不含铅
是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.39其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：2.8 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：44 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BYC5-600 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Rectifier diode  
ultrafast, low switching loss  
BYC5-600  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
VR = 600 V  
• Extremely fast switching  
• Low reverse recovery current  
• Low thermal resistance  
• Reduces switching losses in  
associated MOSFET  
VF ≤ 1.75 V  
k
1
a
2
IF(AV) = 5 A  
trr = 19 ns (typ)  
APPLICATIONS  
PINNING  
SOD59 (TO220AC)  
• Active power factor correction  
• Half-bridge lighting ballasts  
• Half-bridge/ full-bridge switched  
mode power supplies.  
PIN  
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
cathode  
tab  
1
2
The BYC5-600 is supplied in the  
SOD59 (TO220AC) conventional  
leaded package.  
tab  
1
2
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak repetitive reverse voltage  
-
-
-
-
600  
600  
500  
5
V
V
V
A
Crest working reverse voltage  
Continuous reverse voltage  
Average forward current  
T
mb ≤ 110 ˚C  
δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
mb ≤ 89 ˚C  
Repetitive peak forward current δ = 0.5; with reapplied VRRM(max)  
IF(AV)  
;
;
T
IFRM  
IFSM  
-
10  
A
T
mb ≤ 89 ˚C  
Non-repetitive peak forward  
current.  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
-
-
40  
44  
A
A
sinusoidal; Tj = 150˚C prior to surge  
with reapplied VRWM(max)  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction temperature  
-40  
-
150  
150  
˚C  
˚C  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to in free air.  
ambient  
-
-
-
2.5  
-
K/W  
K/W  
60  
May 1999  
1
Rev 1.200  
123456

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