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BY251GP/93

更新时间： 2024-11-19 03:15:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 290K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

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BY251GP/93 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-201AD包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

BY251GP/93 数据手册

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BY251GP thru BY255GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Plastic Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
3.0 A  
200 V to 1300 V  
100 A  
5.0 µA  
*
d
VF  
1.1 V  
e
t
n
e
t
Tj max.  
175 °C  
a
P
DO-201AD  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly by  
Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for High Reliability  
application  
Case: DO-201AD, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current, I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power sup-  
plies, inverters, converters and freewheeling diodes  
for both consuer and automotive applications  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol BY251GP BY252GP BY253GP BY254GP BY255GP Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
3.0  
800  
560  
800  
1300  
910  
V
V
V
A
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking voltage  
1300  
Maximum average forward rectified current 10 mm lead  
length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
100  
100  
A
Maximum full load reverse current, full cycle average 10 mm  
lead length at TA = 55 °C  
IR(AV)  
µA  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Document Number 88541  
14-Oct-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与BY251GP/93相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY251GP/93-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
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