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BY251_11

更新时间： 2024-10-02 09:03:19

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
Silicon Rectifier Diodes - Silizium-Gleichrichterdioden

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BY251_11 数据手册

BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Version 2011-03-04

Nominal Current

Nennstrom

3 A

200...2000 V

~ DO-201

0.8 g

Ø 4.5^+0.1

-0.3

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

BY251

200

400

200

BY252

400

BY253

600

BY254

800

BY255

1300

1600

1800

2000

1300

BY1600

1600

1800

BY1800

BY2000

2000

higher voltages see

BY4...BY16

höhere Spannungen siehe

4000...16000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

3 A ¹)

20 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

I_FSM

i²t

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

100/110 A

50 A²s

Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

-50...+175°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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