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BV2HD045EFU-C

更新时间： 2024-12-02 11:08:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关控制器微控制器过电流保护
页数	文件大小	规格书
37页	1410K
描述
BV2HD045EFU-C是利用独有的过电流保护功能，可独立保护系统免受过电流影响的智能高边开关。普通产品仅支持启动时的浪涌电流保护，启动后的稳态电流使用微控制器和过电流检测IC等进行过电流保护，受与智能高边开关输出端的后段电路之间的相性影响，有失控的可能性。而新产品则可以独立地保护系统免受浪涌电流和稳态电流中的过电流的影响，因此，与普通产品的解决方案相比，可提供可靠性高、部件数量少的解决方案，有助于打造更安全的系统。另外，过电流保护的范围还可以通过外置部件进行自由调整，因此可使用于各种系统。

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BV2HD045EFU-C 数据手册

Datasheet

IPD Series

Automotive 2ch 45 mΩ High-Side Switch

with Variable OCD and OCD Mask Function

BV2HD045EFU-C

General Description

Key Specifications

BV2HD045EFU-C is

2-ch high-side switch for

◼ Power Supply Voltage Operating Range: 6 V to 28 V

automotive application. It has built-in over current

protection function, thermal shutdown protection function,

open load detection function and under voltage lockout

function. It is equipped with diagnostic output function for

abnormality detection. An external component can

arbitrarily set the over current limit and the time to limit to

achieve the optimum over current protection for the load.

◼ On Resistance (Tj=25°C):

◼ Over Current Limit:

◼ Standby Current (Tj=25°C):

45 mΩ (Typ)

21 A (Min)

0.5 μA (Max)

◼ Active Clamp Tolerance (Tj_{(START )}= 25 °C): 35 mJ

Package

HSSOP-C16

W (Typ) x D (Typ) x H (Max)

4.90 mm x 6.00 mm x 1.70 mm

Features

◼

Dual TSD^{(Note 1)}

◼

AEC-Q100 Qualified^{(Note 2)}

Built-in Variable Over Current Limit Function

Built-in Variable Over Current Mask Time Setting

Function.

◼

Built-in Open Load Detection Function.

Built-in Under Voltage Lockout Function (UVLO)

Built-in Diagnostic Output

Low On-Resistance R_ON= 45 mΩ (Typ)

Monolithic Power Management IC with Control Unit

(CMOS) and Power MOSFET on a Single Chip

Low Voltage Operation (V_BB= 4.3 V)

HSSOP-C16

◼

(Note 1) This IC has thermal shutdown (Junction temperature detect) and

ΔTj Protection (Power-MOS steep temperature rising detect).

(Note 2) Grade 1

Applications

Resistive Load, Inductive Load, Capacitive Load

◼

Typical Application Circuit

R_ST1PU

R_ST2PU

VBB

C_VBB

R_IN1

R_IN2

IN1

IN2

OUT1

R_ST1

ST1

ST2

MCU

R_L

R_ST2

BV2HD045EFU-C

DLY

SET

OUT2

R_L

C_DLY

RSET

GND

R_GND

D_GND

〇Product structure : Silicon integrated circuit 〇This product has no designed protection against radioactive rays.

www.rohm.com

TSZ22111 • 14 • 001

TSZ02201-0G5G1G400030-1-2

10.Apr.2023 Rev.002

1/34

12 3 4 5 6 7...37

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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